LFUSCD20120B
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LFUSCD20120B
1200 V, 80 mOhm SiC MOSFET

LSIC1MO120E0160

Codice DigiKey
F11005-ND
Produttore
Codice produttore
LSIC1MO120E0160
Descrizione
SICFET N-CH 1200V 22A TO247-3
Tempi di consegna standard del produttore
29 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 1200 V 22 A (Tc) 125W (Tc) Foro passante TO-247AD
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Serie
-
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
20V
RDSon (max) a Id, Vgs
200mohm a 10A, 20V
Vgs(th) max a Id
4V a 5mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
57 nC @ 20 V
Vgs (max)
+22V, -6V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
870 pF @ 800 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
125W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
Foro passante
Contenitore del fornitore
TO-247AD
Contenitore/involucro
Codice componente base
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Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 10,18000€ 10,18
30€ 6,19700€ 185,91
120€ 6,09233€ 731,08
Contenitore standard del produttore
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Prezzo unitario IVA esclusa:€ 10,18000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 12,41960