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1KSMB8.2A | |
|---|---|
Codice DigiKey | 1KSMB8.2A-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | 1KSMB8.2A |
Descrizione | TVS DIODE 7.02VWM 12.1V DO214AA |
Tempi di consegna standard del produttore | 17 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | 12,1V Fascetta 82,6 A Ipp TVS - Diodi A montaggio superficiale DO-214AA (SMBJ) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | 1KSMB8.2A Modelli |
Categoria | Corrente - Impulso di picco (10/1000 µs) 82,6 A |
Produttore | Potenza - Impulso di picco 1000W (1kW) |
Serie | Protezione linea di alimentazione No |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Applicazioni Uso generale |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo Zener | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Canali unidirezionali 1 | Contenitore/involucro DO-214AA, SMB |
Tensione - Interdizione inversa (tip.) 7,02V | Contenitore del fornitore |
Tensione - Rottura (min) 7,79V | Codice componente base |
Tensione - Tenuta (max) a Ipp 12,1V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| SMBJ7.0A | Littelfuse Inc. | 1 384 | SMBJ7.0ALFCT-ND | € 0,42000 | Simile |
| 10BJ7-0A | Eaton - Electronics Division | 0 | 283-10BJ7-0ATR-ND | € 0,17181 | Simile |
| P6SMB8.2AHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | P6SMB8.2AHE3_A/H-ND | € 0,11681 | Simile |
| P6SMB8.2AHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | P6SMB8.2AHE3_A/I-ND | € 0,11883 | Simile |
| SMBJ7.0A | Bourns Inc. | 23 889 | SMBJ7.0ABCT-ND | € 0,49000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,19233 | € 576,99 |
| 6 000 | € 0,19044 | € 1 142,64 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,19233 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,23464 |







