Canale N, modalità depletion 500 V 800mA (Tj) 60W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
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Canale N, modalità depletion 500 V 800mA (Tj) 60W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
TO-252AA

IXTY08N50D2-TRL

Codice DigiKey
238-IXTY08N50D2-TRLTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
238-IXTY08N50D2-TRLCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
238-IXTY08N50D2-TRLDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
IXTY08N50D2-TRL
Descrizione
MOSFET N-CH 500V 800MA TO252AA
Tempi di consegna standard del produttore
32 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N, modalità depletion 500 V 800mA (Tj) 60W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
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Descrizione
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Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
500 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
0V
RDSon (max) a Id, Vgs
4,6ohm a 400mA, 0V
Vgs(th) max a Id
4,5V a 25µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
12.7 nC @ 5 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
312 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
60W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-252AA
Contenitore/involucro
Codice componente base
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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 3,14000€ 3,14
10€ 2,05700€ 20,57
100€ 1,43840€ 143,84
500€ 1,26402€ 632,01
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 1,03270€ 2 581,75
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 3,14000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 3,83080