Name: IXTP01N100D
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTP01N100D-ND
Price: 8.6132 EUR
Availability: InStock

Canale N, modalità depletion 1000 V 400mA (Tc) 1,1W (Ta), 25W (Tc) Foro passante TO-220-3

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IXTP01N100D
Codice DigiKey	238-IXTP01N100D-ND
Produttore	IXYS
Codice produttore	IXTP01N100D
Descrizione	MOSFET N-CH 1000V 400MA TO220AB
Tempi di consegna standard del produttore	32 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N, modalità depletion 1000 V 400mA (Tc) 1,1W (Ta), 25W (Tc) Foro passante TO-220-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	IXYS
Serie	Depletion
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N, modalità depletion
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	1000 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	400mA (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	0V
RDSon (max) a Id, Vgs	80ohm a 50mA, 0V
Vgs(th) max a Id	4,5V a 25µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	5.8 nC @ 5 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	100 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,1W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-220-3
Contenitore/involucro	TO-220-3
Codice componente base	IXTP01

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Quantità

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Tubo

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	€ 7,06000	€ 7,06
50	€ 3,84900	€ 192,45
100	€ 3,53880	€ 353,88
500	€ 3,05976	€ 1 529,88

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