Name: IXTH12N65X2
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTH12N65X2-ND
Price: 6.5636 EUR
Availability: InStock

Canale N 650 V 12 A (Tc) 180W (Tc) Foro passante TO-247 (IXTH)

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IXTH12N65X2
Codice DigiKey	238-IXTH12N65X2-ND
Produttore	IXYS
Codice produttore	IXTH12N65X2
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 12A TO247-3
Tempi di consegna standard del produttore	27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 12 A (Tc) 180W (Tc) Foro passante TO-247 (IXTH)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	IXYS
Serie	Ultra X2
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	12 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	300mohm a 6A, 10V
Vgs(th) max a Id	5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	17 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1100 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	180W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-247 (IXTH)
Contenitore/involucro	TO-247-3
Codice componente base	IXTH12

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