Name: IXTA08N50D2
Brand: IXYS
SKU: IXTA08N50D2-ND
Price: 4.148 EUR
Availability: InStock

Canale N, modalità depletion 500 V 800mA (Tc) 60W (Tc) A montaggio superficiale TO-263AA

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IXTA08N50D2
Codice DigiKey	IXTA08N50D2-ND
Produttore	IXYS
Codice produttore	IXTA08N50D2
Descrizione	MOSFET N-CH 500V 800MA TO263
Tempi di consegna standard del produttore	32 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N, modalità depletion 500 V 800mA (Tc) 60W (Tc) A montaggio superficiale TO-263AA
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	IXYS
Serie	Depletion
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N, modalità depletion
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	500 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	800mA (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	-
RDSon (max) a Id, Vgs	4,6ohm a 400mA, 0V
Vgs(th) max a Id	-
Carica del gate (Qg) max a Vgs	12.7 nC @ 5 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	312 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	60W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-263AA
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	IXTA08

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Quantità

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Tubo

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	€ 3,40000	€ 3,40
50	€ 1,72900	€ 86,45
100	€ 1,56750	€ 156,75
500	€ 1,28414	€ 642,07
1 000	€ 1,19317	€ 1 193,17
2 000	€ 1,14744	€ 2 294,88

Contenitore standard del produttore

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