IXFX21N100Q IXYS | Prodotti a semiconduttore discreti

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IXFX21N100Q
Codice DigiKey	IXFX21N100Q-ND
Produttore	IXYS
Codice produttore	IXFX21N100Q
Descrizione	MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS247-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1000 V 21 A (Tc) 500W (Tc) Foro passante PLUS247™-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	IXYS
Serie	HiPerFET™, Q Class
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	1000 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	21 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	500mohm a 10,5A, 10V
Vgs(th) max a Id	5,5V a 4mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	170 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	6900 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	500W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	PLUS247™-3
Contenitore/involucro	Variante TO-247-3
Codice componente base	IXFX21

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