Name: ISP25DP06LMSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISP25DP06LMSATMA1TR-ND
Price: 0.8784 EUR
Availability: OutOfStock

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Infineon Technologies

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ISP25DP06LMSATMA1
Codice DigiKey	448-ISP25DP06LMSATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-ISP25DP06LMSATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-ISP25DP06LMSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	ISP25DP06LMSATMA1
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 60 V 1,9 A (Ta) 1,8W (Ta), 5W (Tc) A montaggio superficiale PG-SOT223
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	ISP25DP06LMSATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Data di acquisto finale
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	1,9 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	250mohm a 1,9A, 10V
Vgs(th) max a Id	2V a 270µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	13.9 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	420 pF @ 30 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,8W (Ta), 5W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-SOT223
Contenitore/involucro	TO-261-4, TO-261AA
Codice componente base	ISP25DP06

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Nastrato in bobina (TR)