Name: ISC009N03LF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC009N03LF2SATMA1TR-ND
Price: 1.281 EUR
Availability: InStock

Nuovo prodotto

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ISC009N03LF2SATMA1
Codice DigiKey	448-ISC009N03LF2SATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-ISC009N03LF2SATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-ISC009N03LF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	ISC009N03LF2SATMA1
Descrizione	ISC009N03LF2SATMA1
Tempi di consegna standard del produttore	22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 43A (Ta), 341A (Tc) 3W (Ta), 188W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8-62
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	ISC009N03LF2SATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	StrongIRFET™ 2
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	43A (Ta), 341A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	0,9mohm a 50A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,35V a 100µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	143 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	6400 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3W (Ta), 188W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TDSON-8-62
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN

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