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IRF9952TRPBF
Infineon Technologies
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Scheda tecnica
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MOSFET - Array 30V 3,5 A, 2,3 A 2W A montaggio superficiale 8-SO
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IRF9952PBF

Codice DigiKey
IRF9952PBF-ND
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
IRF9952PBF
Descrizione
MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 30V 3,5 A, 2,3 A 2W A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
HEXFET®
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Fuori produzione presso DigiKey
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
Canale N e P
Funzione FET
Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)
30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
3,5 A, 2,3 A
RDSon (max) a Id, Vgs
100mohm a 2,2A, 10V
Vgs(th) max a Id
1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
14nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
190pF a 15V
Potenza - Max
2W
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Contenitore del fornitore
8-SO
Codice componente base
IRF995
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