Canale N 100 V 13A (Ta), 85A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Tc) A montaggio superficiale PG-WHTFN-9-1
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IQE065N10NM5CGSCATMA1

Codice DigiKey
448-IQE065N10NM5CGSCATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
448-IQE065N10NM5CGSCATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
448-IQE065N10NM5CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
IQE065N10NM5CGSCATMA1
Descrizione
OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Tempi di consegna standard del produttore
61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 100 V 13A (Ta), 85A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Tc) A montaggio superficiale PG-WHTFN-9-1
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IQE065N10NM5CGSCATMA1 Modelli
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Descrizione
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Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
6,5mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id
3,8V a 48µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
3000 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2,5W (Ta), 100W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PG-WHTFN-9-1
Contenitore/involucro
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In magazzino: 5 930
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 3,25000€ 3,25
10€ 2,12200€ 21,22
100€ 1,47850€ 147,85
500€ 1,20362€ 601,81
1 000€ 1,16275€ 1 162,75
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
6 000€ 0,94996€ 5 699,76
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 3,25000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 3,96500