Name: IQE008N03LM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE008N03LM5ATMA1TR-ND
Price: 2.9768 EUR
Availability: InStock

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IQE008N03LM5ATMA1
Codice DigiKey	448-IQE008N03LM5ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IQE008N03LM5ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IQE008N03LM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IQE008N03LM5ATMA1
Descrizione	TRENCH <= 40V PG-TSON-8
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 27A (Ta), 253A (Tc) 2,1W (Ta), 89W (Tc) A montaggio superficiale PG-TSON-8-4
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IQE008N03LM5ATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	27A (Ta), 253A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	0,85mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id	2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	64 nC @ 10 V
Vgs (max)	±16V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	5700 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,1W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TSON-8-4
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN
Codice componente base	IQE008N