Name: IPT60R065S7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT60R065S7XTMA1TR-ND
Price: 5.7218 EUR
Availability: OutOfStock

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IPT60R065S7XTMA1
Codice DigiKey	448-IPT60R065S7XTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPT60R065S7XTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPT60R065S7XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPT60R065S7XTMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 8A 8HSOF
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 8 A (Tc) 167W (Tc) A montaggio superficiale PG-HSOF-8-2
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPT60R065S7XTMA1 Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™S7
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	8 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	12V
RDSon (max) a Id, Vgs	65mohm a 8A, 12V
Vgs(th) max a Id	4,5V a 490µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	51 nC @ 12 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1932 pF @ 300 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	167W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-HSOF-8-2
Contenitore/involucro	8-PowerSFN
Codice componente base	IPT60R065

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 4,69000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 5,72180

IPT60R065S7XTMA1