Name: IPT014N08NM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT014N08NM5ATMA1TR-ND
Price: 6.2952 EUR
Availability: OutOfStock

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IPT014N08NM5ATMA1
Codice DigiKey	448-IPT014N08NM5ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPT014N08NM5ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPT014N08NM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPT014N08NM5ATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 80V 37A/331A HSOF-8
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 37A (Ta), 331A (Tc) 300W (Tc) A montaggio superficiale PG-HSOF-8-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPT014N08NM5ATMA1 Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	80 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	37A (Ta), 331A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	1,4mohm a 150A, 10V
Vgs(th) max a Id	3,8V a 280µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	200 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	14000 pF @ 40 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	300W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-HSOF-8-1
Contenitore/involucro	8-PowerSFN
Codice componente base	IP5014N

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 5,16000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 6,29520

IPT014N08NM5ATMA1