Name: IPD85P04P4L06ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD85P04P4L06ATMA2TR-ND
Price: 2.2936 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

IPD85P04P4L06ATMA2
Codice DigiKey	448-IPD85P04P4L06ATMA2TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPD85P04P4L06ATMA2CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPD85P04P4L06ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPD85P04P4L06ATMA2
Descrizione	MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
Tempi di consegna standard del produttore	9 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 40 V 85 A (Tc) 88W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3-313
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPD85P04P4L06ATMA2 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ P2
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	85 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	6,4mohm a 85A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,2V a 150µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	104 nC @ 10 V
Vgs (max)	+5V, -16V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	6580 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	88W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TO252-3-313
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	IPD85P04