Canale N 600 V 10,6 A (Tc) 83W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
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Canale N 600 V 10,6 A (Tc) 83W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
PG-TO-252-3

IPD60R380C6ATMA1

Codice DigiKey
IPD60R380C6ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
IPD60R380C6ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
IPD60R380C6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
IPD60R380C6ATMA1
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 600 V 10,6 A (Tc) 83W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IPD60R380C6ATMA1 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
CoolMOS™ C6
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Non per nuovi progetti
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
10,6 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
380mohm a 3,8A, 10V
Vgs(th) max a Id
3,5V a 320µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
700 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
83W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PG-TO252-3
Contenitore/involucro
TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base
IPD60R
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 2,11000€ 2,11
10€ 1,35000€ 13,50
100€ 0,91700€ 91,70
500€ 0,73194€ 365,97
1 000€ 0,67243€ 672,43
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 0,53618€ 1 340,45
5 000€ 0,52416€ 2 620,80
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 2,11000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 2,57420
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