Name: IPD50N03S4L06ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD50N03S4L06ATMA1TR-ND
Price: 1.5006 EUR
Availability: InStock

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IPD50N03S4L06ATMA1
Codice DigiKey	IPD50N03S4L06ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPD50N03S4L06ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPD50N03S4L06ATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 50 A (Tc) 56W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3-11
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPD50N03S4L06ATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	50 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	5,5mohm a 50A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,2V a 20µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	31 nC @ 10 V
Vgs (max)	±16V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2330 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	56W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TO252-3-11
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	IPD50