
IPD30N10S3L34ATMA2 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-IPD30N10S3L34ATMA2TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPD30N10S3L34ATMA2CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPD30N10S3L34ATMA2DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPD30N10S3L34ATMA2 |
Descrizione | MOSFET_(75V 120V( |
Tempi di consegna standard del produttore | 18 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 30 A (Tc) 57W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3-11 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPD30N10S3L34ATMA2 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 100 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 31mohm a 30A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,4V a 29µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 31 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1976 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 57W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-TO252-3-11 | |
Contenitore/involucro |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,87000 | € 1,87 |
| 10 | € 1,18900 | € 11,89 |
| 100 | € 0,80240 | € 80,24 |
| 500 | € 0,63692 | € 318,46 |
| 1 000 | € 0,58370 | € 583,70 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 500 | € 0,46394 | € 1 159,85 |
| 5 000 | € 0,44292 | € 2 214,60 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,87000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 2,28140 |










