


IPB65R099CFD7AATMA1 | |
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Codice DigiKey | 448-IPB65R099CFD7AATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPB65R099CFD7AATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPB65R099CFD7AATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPB65R099CFD7AATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 24A TO263-3 |
Tempi di consegna standard del produttore | 17 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 24 A (Tc) 127W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPB65R099CFD7AATMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 99mohm a 12,5A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4,5V a 630µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 53 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 2513 pF @ 400 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 127W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-TO263-3 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 4,95000 | € 4,95 |
| 10 | € 3,30600 | € 33,06 |
| 100 | € 2,37550 | € 237,55 |
| 500 | € 2,32274 | € 1 161,37 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 000 | € 1,89765 | € 1 897,65 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 4,95000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 6,03900 |













