
IPB180N08S402ATMA1 | |
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Codice DigiKey | IPB180N08S402ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPB180N08S402ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPB180N08S402ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IPB180N08S402ATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 80 V 180 A (Tc) 277W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-7-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPB180N08S402ATMA1 Modelli |
Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 167 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±20V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 11550 pF @ 25 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Dissipazione di potenza (max) 277W (Tc) |
Stato componente Obsoleto | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo FET | Grado Automobilistico |
Tecnologia | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 80 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore PG-TO263-7-3 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 2,2mohm a 100A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 4V a 220µA |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
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| IAUS200N08S5N023ATMA1 | Infineon Technologies | 306 | IAUS200N08S5N023ATMA1CT-ND | € 4,72000 | Consigliato dal produttore |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 7 000 | € 2,30720 | € 16 150,40 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 7,14000 | € 7,14 |
| 10 | € 4,81100 | € 48,11 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 5,71000 | € 5,71 |
| 10 | € 3,84900 | € 38,49 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 5,71000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 6,96620 |



