
IMDQ75R016M1HXUMA1 | |
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Codice DigiKey | 448-IMDQ75R016M1HXUMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IMDQ75R016M1HXUMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IMDQ75R016M1HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IMDQ75R016M1HXUMA1 |
Descrizione | SILICON CARBIDE MOSFET |
Tempi di consegna standard del produttore | 23 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 750 V 98 A (Tc) 384W (Tc) A montaggio superficiale PG-HDSOP-22-1 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 750 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 15V, 20V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 15mohm a 41,5A, 20A | |
Vgs(th) max a Id | 5,6V a 14,9mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 80 nC @ 18 V | |
Vgs (max) | +23V, -5V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 2869 pF @ 500 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 384W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-HDSOP-22-1 | |
Contenitore/involucro |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 15,72000 | € 15,72 |
| 10 | € 11,19400 | € 111,94 |
| 100 | € 10,58400 | € 1 058,40 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 750 | € 8,64704 | € 6 485,28 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 15,72000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 19,17840 |




