Name: IAUCN04S7L023HATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN04S7L023HATMA1TR-ND
Price: 2.3912 EUR
Availability: InStock

Nuovo prodotto

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IAUCN04S7L023HATMA1
Codice DigiKey	448-IAUCN04S7L023HATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IAUCN04S7L023HATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IAUCN04S7L023HATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IAUCN04S7L023HATMA1
Descrizione	MOSFET_(20V 40V)
Tempi di consegna standard del produttore	26 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 40V 100 A (Tj) 75W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8-56
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 7
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	2 canale N
Funzione FET	Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)	40V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	100 A (Tj)
RDSon (max) a Id, Vgs	2.34mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) max a Id	1.8V @ 25µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	38nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2518pF @ 20V
Potenza - Max	75W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	8-PowerVDFN
Contenitore del fornitore	PG-TDSON-8-56

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