Name: IAUCN04S6N017TATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN04S6N017TATMA1TR-ND
Price: 2.4766 EUR
Availability: InStock

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IAUCN04S6N017TATMA1
Codice DigiKey	448-IAUCN04S6N017TATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IAUCN04S6N017TATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IAUCN04S6N017TATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IAUCN04S6N017TATMA1
Descrizione	MOSFET_(20V 40V)
Tempi di consegna standard del produttore	26 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 58A (Ta), 120A (Tj) 103W (Tc) A montaggio superficiale
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IAUCN04S6N017TATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 6
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	58A (Ta), 120A (Tj)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	7V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	1,73mohm a 60A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 40µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	49 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	3250 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	103W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-LHDSO-10-1
Contenitore/involucro	10-LSOP (larghezza 0,216", 5,48mm) piazzola esposta