BSZ130N03MSGATMA1 Infineon Technologies | Prodotti a semiconduttore discreti

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BSZ130N03MSGATMA1
Codice DigiKey	BSZ130N03MSGATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSZ130N03MSGATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BSZ130N03MSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSZ130N03MSGATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 9A/35A 8TSDSON
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 9 A (Ta), 35 A (Tc) 2,1W (Ta), 25W (Tc) A montaggio superficiale PG-TSDSON-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSZ130N03MSGATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	9 A (Ta), 35 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	11,5mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id	2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	17 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1300 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,1W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TSDSON-8
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN
Codice componente base	BSZ130