Name: BSB056N10NN3GXUMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSB056N10NN3GXUMA2TR-ND
Price: 1.23482 EUR
Availability: OutOfStock

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BSB056N10NN3GXUMA3

Infineon Technologies

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Scheda tecnica

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BSB056N10NN3GXUMA2
Codice DigiKey	448-BSB056N10NN3GXUMA2TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSB056N10NN3GXUMA2
Descrizione	TRENCH >=100V
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 9 A (Ta), 83 A (Tc) 2,8W (Ta), 78W (Tc) A montaggio superficiale
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSB056N10NN3GXUMA2 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	9 A (Ta), 83 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	5,6mohm a 30 A, 10V
Vgs(th) max a Id	3,5V a 100µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	74 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	5500 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,8W (Ta), 78W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	MG-WDSON-5-3
Contenitore/involucro	DirectFET™ isometrico MN

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Nastrato in bobina (TR)