AUIRF7103QTR Infineon Technologies | Prodotti a semiconduttore discreti

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AUIRF7103QTR
Codice DigiKey	AUIRF7103QTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	AUIRF7103QTR
Descrizione	MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 50V 3A 2,4W A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	AUIRF7103QTR Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	2 canali N (doppio)
Funzione FET	-
Tensione drain/source (Vdss)	50V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	3A
RDSon (max) a Id, Vgs	130mohm a 3A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	15nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	255pF a 25V
Potenza - Max	2,4W
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Contenitore del fornitore	8-SOIC
Codice componente base	AUIRF7103