PG-TO252-3-313
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AIHD10N60RFATMA1

Codice DigiKey
AIHD10N60RFATMA1-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
AIHD10N60RFATMA1
Descrizione
IGBT TRENCH FS 600V 20A TO252-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
IGBT Trench Field Stop 600 V 20 A 150 W A montaggio superficiale PG-TO252-3-313
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo di IGBT
Trench Field Stop
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)
600 V
Corrente - Collettore (Ic) max
20 A
Corrente - Pulsata collettore (Icm)
30 A
Vce(on) max a Vge, Ic
2,5V a 15V, 10A
Potenza - Max
150 W
Energia di commutazione
190µJ (on), 160µJ (off)
Tipo di ingresso
Standard
Carica del gate
64 nC
Td (on/off) a 25°C
12ns/168ns
Condizione di test
400V, 10A, 26ohm, 15V
Temperatura di funzionamento
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Contenitore del fornitore
PG-TO252-3-313
Codice componente base
AIHD10
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