Name: GSFC2312
Brand: Good-Ark Semiconductor
SKU: 4786-GSFC2312TR-ND
Price: 0.244 EUR
Availability: InStock

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GSFC2312
Codice DigiKey	4786-GSFC2312TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 4786-GSFC2312CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 4786-GSFC2312DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Good-Ark Semiconductor
Codice produttore	GSFC2312
Descrizione	MOSFET, N-CH, SINGLE, 6.80A, 20V
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 6,8 A (Ta) 1,25W (Ta) A montaggio superficiale SOT-23
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Good-Ark Semiconductor
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	6,8 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	2,5V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	21mohm a 6,8A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	12.8 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	885 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,25W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-23
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Nastrato in bobina (TR)