Name: G120P06M
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G120P06MTR-ND
Price: 2.501 EUR
Availability: InStock

Novità in DigiKey

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G120P06M
Codice DigiKey	3141-G120P06MTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 3141-G120P06MCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 3141-G120P06MDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Goford Semiconductor
Codice produttore	G120P06M
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 120A
Tempi di consegna standard del produttore	8 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 60 V 120 A (Tc) 277W (Tc) A montaggio superficiale
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Goford Semiconductor
Serie	Trench
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	120 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	8,5mohm a 20 A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	230 nC @ 10 V
Vgs (max)	20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	12215 pF @ 30 V
Dissipazione di potenza (max)	277W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale