Name: G110N06K
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G110N06KTR-ND
Price: 1.8056 EUR
Availability: InStock

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G110N06K
Codice DigiKey	3141-G110N06KTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 3141-G110N06KCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 3141-G110N06KDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Goford Semiconductor
Codice produttore	G110N06K
Descrizione	N60V,RD(MAX)<6.4M@10V,RD(MAX)<8.
Tempi di consegna standard del produttore	8 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 110 A (Tc) 160W (Tc) A montaggio superficiale TO-252
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Goford Semiconductor
Serie	TrenchFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	110 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	6,4mohm a 4A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	113 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	5538 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	160W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-252
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63