Name: G09P02L
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 4822-G09P02LTR-ND
Price: 0.08219 EUR
Availability: InStock

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G09P02L
Codice DigiKey	4822-G09P02LTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Goford Semiconductor
Codice produttore	G09P02L
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 9A SOT-23-3L
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 9 A (Tc) 2,5W (Tc) A montaggio superficiale SOT-23-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Goford Semiconductor
Serie	TrenchFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	9 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	2,5V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	20mohm a 1A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1,2V a 250µA
Vgs (max)	±12V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,5W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-23-3
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3