Name: G01N20LE
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 4822-G01N20LETR-ND
Price: 0.09089 EUR
Availability: InStock

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G01N20LE
Codice DigiKey	4822-G01N20LETR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Goford Semiconductor
Codice produttore	G01N20LE
Descrizione	MOSFET N-CH ESD 200V 1.7A SOT-23
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1,7 A (Tc) 1,5W (Tc) A montaggio superficiale SOT-23-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Goford Semiconductor
Serie	TrenchFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	1,7 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	700mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 250µA
Vgs (max)	±20V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,5W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-23-3
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3