Name: GE10MPS06E-TR
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 1242-GE10MPS06E-TR-ND
Price: 3.599 EUR
Availability: InStock

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GE10MPS06E-TR
Codice DigiKey	1242-GE10MPS06E-TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 1242-GE10MPS06E-TRCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1242-GE10MPS06E-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	GeneSiC Semiconductor
Codice produttore	GE10MPS06E-TR
Descrizione	DIODE SIL CARB 650V 26A TO2522
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Diodi 650 V 26A A montaggio superficiale TO-252-2
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Diodi Raddrizzatori Diodi singoli
Produttore	GeneSiC Semiconductor
Serie	MPS™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max	650 V
Corrente - Media rettificata (Io)	26A
Tensione - Diretta (Vf) max a If	1.35 V @ 10 A
Velocità	Nessun tempo di ripristino > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (Trr)	0 ns
Corrente - Dispersione inversa a Vr	5 µA @ 650 V
Capacità a Vr, F	466pF a 1V, 1MHz
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Contenitore del fornitore	TO-252-2
Temp. di funzionamento - Giunzione	-55°C ~ 175°C

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