Name: SI2301ADS-EV
Brand: EVVO
SKU: 5272-SI2301ADS-EVTR-ND
Price: 0.2196 EUR
Availability: InStock

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SI2301ADS-EV
Codice DigiKey	5272-SI2301ADS-EVTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 5272-SI2301ADS-EVCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 5272-SI2301ADS-EVDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	EVVO
Codice produttore	SI2301ADS-EV
Descrizione	P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOS F
Tempi di consegna standard del produttore	3 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 3,3 A (Ta) 1W (Ta) A montaggio superficiale SOT-23
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	EVVO
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	3,3 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	2,5V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	70mohm a 3A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	4.1 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	503 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-23
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Nastrato in bobina (TR)