Name: ZXMN3A01ZTA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN3A01ZTADITR-ND
Price: 0.7686 EUR
Availability: InStock

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ZXMN3A01ZTA
Codice DigiKey	ZXMN3A01ZTADITR-ND - Nastrato in bobina (TR) ZXMN3A01ZTADICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) ZXMN3A01ZTADIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	ZXMN3A01ZTA
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT89
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 2,2 A (Ta) 970mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-89-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	ZXMN3A01ZTA Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	2,2 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	120mohm a 2,5A, 10V
Vgs(th) max a Id	1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	5 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	186 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	970mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-89-3
Contenitore/involucro	TO-243AA
Codice componente base	ZXMN3

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Nastrato in bobina (TR)