Canale N 100 V 4,6 A (Ta) 1,8W (Ta) Montaggio superficiale, fianchi impregnabili U-DFN2020-6 (SWP) (tipo UXG)
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DMTH10H071LFDFWQ-7

Codice DigiKey
31-DMTH10H071LFDFWQ-7TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Diodes Incorporated
Codice produttore
DMTH10H071LFDFWQ-7
Descrizione
IC
Tempi di consegna standard del produttore
40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 100 V 4,6 A (Ta) 1,8W (Ta) Montaggio superficiale, fianchi impregnabili U-DFN2020-6 (SWP) (tipo UXG)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Diodes Incorporated
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
4,6 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
68mohm a 4A, 10V
Vgs(th) max a Id
3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
6.4 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
296 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1,8W (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Montaggio superficiale, fianchi impregnabili
Contenitore del fornitore
U-DFN2020-6 (SWP) (tipo UXG)
Contenitore/involucro
6-UDFN piazzola esposta
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,16912€ 507,36
6 000€ 0,15535€ 932,10
9 000€ 0,14833€ 1 334,97
15 000€ 0,14044€ 2 106,60
21 000€ 0,13711€ 2 879,31
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,16912
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,20633