Canale N 100 V 4,6 A (Ta) 1,8W (Ta) Montaggio superficiale, fianchi impregnabili U-DFN2020-6 (SWP) (tipo UXG)
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DMTH10H071LFDFW-7

Codice DigiKey
31-DMTH10H071LFDFW-7TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Diodes Incorporated
Codice produttore
DMTH10H071LFDFW-7
Descrizione
IC
Tempi di consegna standard del produttore
40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 100 V 4,6 A (Ta) 1,8W (Ta) Montaggio superficiale, fianchi impregnabili U-DFN2020-6 (SWP) (tipo UXG)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Diodes Incorporated
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
4,6 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
68mohm a 4A, 10V
Vgs(th) max a Id
3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
6.4 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
296 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1,8W (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
Montaggio superficiale, fianchi impregnabili
Contenitore del fornitore
U-DFN2020-6 (SWP) (tipo UXG)
Contenitore/involucro
6-UDFN piazzola esposta
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Quantità
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Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,15336€ 460,08
6 000€ 0,14063€ 843,78
9 000€ 0,13414€ 1 207,26
15 000€ 0,12685€ 1 902,75
21 000€ 0,12254€ 2 573,34
30 000€ 0,12181€ 3 654,30
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,15336
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,18710