Name: DMTH10H032LFVW-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH10H032LFVW-13-ND
Price: 1.0004 EUR
Availability: InStock

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DMTH10H032LFVW-13
Codice DigiKey	31-DMTH10H032LFVW-13-ND
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMTH10H032LFVW-13
Descrizione	MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI33
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 26 A (Tc) 1,7W (Ta) Montaggio superficiale, fianchi impregnabili PowerDI3333-8 (SWP) tipo UX
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	DMTH10H032LFVW-13 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Sfuso
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	26 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	30mohm a 10A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	11.9 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	683 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,7W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale, fianchi impregnabili
Contenitore del fornitore	PowerDI3333-8 (SWP) tipo UX
Contenitore/involucro	8-PowerVDFN
Codice componente base	DMTH10

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