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DMTH10H009LFGQ-7 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 31-DMTH10H009LFGQ-7TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | DMTH10H009LFGQ-7 |
Descrizione | MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33 |
Tempi di consegna standard del produttore | 40 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 12 A (Ta), 46 A (Tc) 2,5W (Ta), 39W (Tc) A montaggio superficiale POWERDI3333-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 100 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 8,5mohm a 20 A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 41 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 2361 pF @ 50 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 2,5W (Ta), 39W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | POWERDI3333-8 | |
Contenitore/involucro |
Disponibile su ordinazione
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 000 | € 0,45729 | € 914,58 |
| 4 000 | € 0,42510 | € 1 700,40 |
| 6 000 | € 0,42333 | € 2 539,98 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,45729 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,55789 |
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