Name: DMT47M2SFVW-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT47M2SFVW-13DI-ND
Price: 0.26204 EUR
Availability: OutOfStock

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DMT47M2SFVW-13
Codice DigiKey	DMT47M2SFVW-13DI-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMT47M2SFVW-13
Descrizione	MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Tempi di consegna standard del produttore	24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 15,4A (Ta), 49,1A (Tc) 2,67W (Ta), 27,1W (Tc) Montaggio superficiale, fianchi impregnabili PowerDI3333-8 (SWP) tipo UX
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	15,4A (Ta), 49,1A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	7,5mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	12.1 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	897 pF @ 20 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,67W (Ta), 27,1W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale, fianchi impregnabili
Contenitore del fornitore	PowerDI3333-8 (SWP) tipo UX
Contenitore/involucro	8-PowerVDFN
Codice componente base	DMT47