Name: DMP21D0UFB4-7R
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMP21D0UFB4-7RTR-ND
Price: 0.427 EUR
Availability: InStock

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DMP21D0UFB4-7R
Codice DigiKey	31-DMP21D0UFB4-7RTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 31-DMP21D0UFB4-7RCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 31-DMP21D0UFB4-7RDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMP21D0UFB4-7R
Descrizione	MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Tempi di consegna standard del produttore	24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 770mA (Ta) 430mW (Ta) A montaggio superficiale X2-DFN1006-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	770mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,8V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	495mohm a 400mA, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	1.5 nC @ 8 V
Vgs (max)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	76.5 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	430mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	X2-DFN1006-3
Contenitore/involucro	3-XFDFN
Codice componente base	DMP21

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Nastrato in bobina (TR)