Name: DMP10H4D2S-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMP10H4D2S-13TR-ND
Price: 0.3782 EUR
Availability: InStock

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DMP10H4D2S-13
Codice DigiKey	31-DMP10H4D2S-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 31-DMP10H4D2S-13CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 31-DMP10H4D2S-13DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMP10H4D2S-13
Descrizione	MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23-3
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 100 V 270mA (Ta) 380mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	DMP10H4D2S-13 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	270mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	4,2ohm a 500mA, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	1.8 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	87 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	380mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-23-3
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Codice componente base	DMP10

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Nastrato in bobina (TR)