Name: DMN62D1SFB-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN62D1SFB-7BDITR-ND
Price: 0.4758 EUR
Availability: OutOfStock

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NX7002BKMYL

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Canale N 60 V 410mA (Ta) 470mW (Ta) A montaggio superficiale X1-DFN1006-3

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DMN62D1SFB-7B
Codice DigiKey	DMN62D1SFB-7BDITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMN62D1SFB-7BDICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMN62D1SFB-7BDIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN62D1SFB-7B
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 410MA 3DFN
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 410mA (Ta) 470mW (Ta) A montaggio superficiale X1-DFN1006-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Non per nuovi progetti
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	410mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	1,4ohm a 40mA, 10V
Vgs(th) max a Id	2,3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	2.8 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	80 pF @ 40 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	470mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	X1-DFN1006-3
Contenitore/involucro	3-UFDFN
Codice componente base	DMN62

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Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	€ 0,39000	€ 0,39
10	€ 0,23600	€ 2,36
100	€ 0,14940	€ 14,94
500	€ 0,11170	€ 55,85
1 000	€ 0,09951	€ 99,51
2 000	€ 0,08923	€ 178,46
5 000	€ 0,07809	€ 390,45