Name: DMN3190LDW-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3190LDW-13DITR-ND
Price: 0.4026 EUR
Availability: InStock

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DMN3190LDW-13
Codice DigiKey	DMN3190LDW-13DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMN3190LDW-13DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMN3190LDW-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN3190LDW-13
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 1A 320mW A montaggio superficiale SOT-363
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	2 canali N (doppio)
Funzione FET	Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)	30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	1A
RDSon (max) a Id, Vgs	190mohm a 1,3A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,8V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	2nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	87pF a 20V
Potenza - Max	320mW
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Contenitore del fornitore	SOT-363
Codice componente base	DMN3190

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In magazzino: 10 422

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Nastrato in bobina (TR)