Name: DMN2029USD-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN2029USD-13DITR-ND
Price: 0.7076 EUR
Availability: InStock

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DMN2029USD-13
Codice DigiKey	DMN2029USD-13DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMN2029USD-13DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMN2029USD-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN2029USD-13
Descrizione	MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8SO
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 20V 5,8A 1,2W A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	2 canali N (doppio)
Funzione FET	Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)	20V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	5,8A
RDSon (max) a Id, Vgs	25mohm a 6,5A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	18,6nC a 8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1171pF a 10V
Potenza - Max	1,2W
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Contenitore del fornitore	8-SO
Codice componente base	DMN2029

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In magazzino: 7 532

Scorte di fabbrica: 102 500

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Quantità

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)