Name: DMN2011UFDF-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN2011UFDF-13TR-ND
Price: 0.8052 EUR
Availability: OutOfStock

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DMN2011UFDF-13
Codice DigiKey	31-DMN2011UFDF-13TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 31-DMN2011UFDF-13CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 31-DMN2011UFDF-13DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN2011UFDF-13
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 14,2 A (Ta) 2,1W (Ta) A montaggio superficiale U-DFN2020-6 (tipo F)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	DMN2011UFDF-13 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	14,2 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,5V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	9,5mohm a 7A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	56 nC @ 10 V
Vgs (max)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2248 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,1W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	U-DFN2020-6 (tipo F)
Contenitore/involucro	6-UDFN piazzola esposta
Codice componente base	DMN2011

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