2N7002W-7 Diodes Incorporated | Prodotti a semiconduttore discreti

2N7002W-7
Codice DigiKey	2N7002WDITR-ND - Nastrato in bobina (TR) 2N7002WDICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	2N7002W-7
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-323
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 115mA (Ta) 200mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-323
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	2N7002W-7 Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)
Stato componente	Fuori produzione presso Digi-Key
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	115mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	7,5ohm a 50mA, 5V
Vgs(th) max a Id	2V a 250µA
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	50 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	200mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-323
Contenitore/involucro	SC-70, SOT-323
Codice componente base	2N7002

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	€ 0,54000	€ 0,54

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
30 000	€ 0,12956	€ 3 886,80

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,54000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,65880

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