Equivalente parametrico

BY25Q128ESEIG(R) | |
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Codice DigiKey | 5369-BY25Q128ESEIG(R)TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | BY25Q128ESEIG(R) |
Descrizione | 129 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), - |
Tempi di consegna standard del produttore | 8 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | FLASH - NOR Memoria IC 128Mbit SPI - quadruplo I/O 120 MHz 7.5 ns 8-WSON (8x6) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Interfaccia di memoria SPI - quadruplo I/O |
Produttore | Frequenza di clock 120 MHz |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Durata ciclo di scrittura - Parola, pagina 60µs, 2,4ms |
Stato componente Attivo | Tempo di accesso 7.5 ns |
Tipo di memoria Non volatile | Tensione - Alimentazione 2,7 ~ 3,6V |
Formato memoria | Temperatura di funzionamento -40°C ~ 85°C (TA) |
Tecnologia FLASH - NOR | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Dimensioni memoria | Contenitore/involucro |
Organizzazione della memoria 16 M x 8 | Contenitore del fornitore 8-WSON (8x6) |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
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| BY25Q128ESWIG(R) | BYTe Semiconductor | 457 | 5369-BY25Q128ESWIG(R)CT-ND | € 1,05000 | Equivalente parametrico |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,72444 | € 2 173,32 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,72444 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,88382 |


