Name: BY25FQ64ESWIG(R)
Brand: BYTe Semiconductor
SKU: 5369-BY25FQ64ESWIG(R)TR-ND
Price: 0.4758 EUR
Availability: InStock

Nuovo prodotto

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BY25FQ64ESWIG(R)
Codice DigiKey	5369-BY25FQ64ESWIG(R)TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 5369-BY25FQ64ESWIG(R)CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 5369-BY25FQ64ESWIG(R)DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	BYTe Semiconductor
Codice produttore	BY25FQ64ESWIG(R)
Descrizione	64 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Tempi di consegna standard del produttore	8 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	FLASH - NOR Memoria IC 64Mbit SPI - quadruplo I/O, QPI, DTR 166 MHz 5 ns 8-WSON (5x6)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Circuiti integrati (CI) Memoria Memoria
Produttore	BYTe Semiconductor
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo di memoria	Non volatile
Formato memoria	FLASH
Tecnologia	FLASH - NOR
Dimensioni memoria	64Mbit
Organizzazione della memoria	8M x 8
Interfaccia di memoria	SPI - quadruplo I/O, QPI, DTR
Frequenza di clock	166 MHz
Durata ciclo di scrittura - Parola, pagina	300µs, 2,4ms
Tempo di accesso	5 ns
Tensione - Alimentazione	2,7 ~ 3,6V
Temperatura di funzionamento	-40°C ~ 85°C (TA)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	8-WDFN piazzola esposta
Contenitore del fornitore	8-WSON (5x6)

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