MOSFET a doppio canale N da 80 V SiZF4800LDT

Il MOSFET di potenza a doppio canale N simmetrico da 80 V di Vishay combina i MOSFET TrenchFET Gen IV high-side e low-side in un unico contenitore PowerPAIR 3x3FS di 3,3 x 3,3 mm. Per la conversione di potenza nelle applicazioni industriali e di telecomunicazione, SiZF4800LDT di Vishay aumenta la densità di potenza e l'efficienza, migliorando al contempo le prestazioni termiche, riducendo il numero di componenti e semplificando i progetti. Il doppio MOSFET può essere utilizzato al posto di due dispositivi discreti nel contenitore PowerPAK 1212, risparmiando il 50% di spazio sulla scheda. La resistenza nello stato On tipica a 4,5 V di SiZF4800LDT è inferiore del 25% rispetto al dispositivo della generazione precedente nel contenitore PowerPAIR 3x3FS e del 16% rispetto al dispositivo concorrente più vicino in contenitore di pari dimensioni. La tecnologia flip-chip del MOSFET offre una resistenza termica inferiore del 43% rispetto ai dispositivi in PowerPAIR 3x3FS. L'esclusiva configurazione dei pin consente di semplificare il layout della scheda e supporta anelli di commutazione accorciati per ridurre al minimo l'induttanza parassita.